半导体工业沿摩尔定律向前发展，光刻技术是基石。摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步，目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺（2020年），3nm制程工艺预计将于2022年正式投产。而大陆方面，最为领先的晶圆代工企业中芯国际已于2021年实现7nm制程工艺的突破，但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距，对应的技术研发周期约为3-4年。

　　半导体光刻胶为晶圆制造核心材料，大陆产品仍存较大技术差距。在所有的晶圆制造材料中，半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量。半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶，最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断。大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产，ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能，而最高端的EUV光刻胶的技术储备近乎空白。

　　行业政策与“大基金”加持，助力光刻胶突破“卡脖子”技术壁垒。“十四五”规划提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，其中半导体光刻胶等产品领域存在有明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”技术壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一宏观战略的重点之一。自2014年6月国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》以来，国家不断地通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为国内光刻胶企业的发展提供支持。

　　大陆晶圆代工产能增速全球第一，聚焦成熟制程利好国产化推进。根据SIA和BCG预测，2021-2030年期间中国大陆的晶圆代工产能增速在全球范围内将排名第一。伴随着大陆晶圆代工产能的快速扩张，特别是28nm及以上成熟制程晶圆代工产能快速扩张，大陆市场对于光刻胶等半导体材料的需求将与日俱增。而中美贸易摩擦对于半导体材料的限制或禁运，将加快国内已实现量产突破的产品向国内晶圆代工厂商的导入进度。同时，半导体光刻胶企业在获得持续订单后有望形成正反馈循环，依靠可持续性的资金流入，推动现有半导体光刻胶产品的产能扩增及新一代半导体光刻胶产品的研发。